Dainiaus webaz – elektronika ir ne tik !

Vis laikau mintyse šitą informaciją, bet kai prisireikia ir pamirštu, tai pasidalinsiu – gal pravers ir dar kam nors. MOSFET tranzistorių savybių ir pajungimo palyginimas:

• Žemas lygis valdyme išjungia tranzistorių
• Aukštas lygis valdyme įjungia tranzistorių
• Krūvio nešėjai – elektronai
• Greitesni nei P kanalo tranzistoriai
• Lyginant panašių dydžių ir specifikacijų N ir P kanalo tranzistorius – N kanaliniai turi mažesnį RDS_ON

• Žemas lygis valdyme įjungia tranzistorių
• Aukštas lygis valdyme išjungia tranzistorių
• Krūvio nešėjai – skylės
• Lėtesni nei N kanalo tranzistoriai
• Lyginant panašių dydžių ir specifikacijų N ir P kanalo tranzistorius – N kanaliniai turi didesnį RDS_ON

Čia toli gražu ne visų savybių palyginimas, tik pradžiai, kad bent jau orientuotis į kurią pusę žiūrėti :). Trumpai apie schemas – R1 ir R4 skirti valdyti užtūros (Gate) srovę, gan dažnai jų ir nebūna, panašiai taip apie 1K varžos. R2 ir R5 skirti timptelėti (pull-up ir pull-down) užtūrą link žemės arba teigiamo poliaus, kad užtūra „nekabėtų ore”, tuomet gali suveikinėti neprognozuojamai, panašiai apie 10K varžos.

P. s. Varžų dydžius paėmiau orientacinius, tam tikromis sąlygomis, schemomis ar maitinimo įtampomis gali skirtis.

Posted in: Elektronika, Naudinga informacija by Dainius /